晶体振荡器，它可以产生中央处理单元（CPU）执行指令所需的时钟频率信号。所有CPU指令的执行都基于此。时钟信号频率越高，CPU通常运行，速度越快。所有包含CPU的电子产品都包含至少一个时钟源。即使我们没有在电路板中看到实际的振荡器电路，晶体振荡器也集成在芯片内部，芯片通常被称为电路系统的核心。一旦心脏停止跳动，整个板可能会瘫痪。因此，晶体振荡器的质量是许多制造商最终选择的基础！因此，许多客户对晶体振荡器有完全的信任感。近年来，台湾TXC晶体振荡器也受到国内厂商的高度关注。
晶振不容忽视的四个参数

1，频次单元，频次单元常常分为KHZ与MHZ，而闭于于有源晶振和无源晶振来道，32.768K晶振既存留KHZ的单元，也存留MHZ的单元，因此频次的单元必定要尺度清楚。

2，精度央求，贴片晶振最高精度常常为10PPM比拟罕睹，比拟特别的精度央求得订货。其次15ppm，20ppm，25ppm，30ppm，50ppm的等第顺序分散。插件晶振以圆柱晶振为例，5ppm是其圆柱晶振中精度最高的一个等第，其次10ppm，20ppm，30ppm.

3，负载电容，负载电容偶尔间是一个十分至闭要害的参数，假如晶振的负载电容与晶振外部二端对交的电容参数配合没有精确的话，很轻易形成频次偏向，精度缺点等等，进而引导产物无法到达最后的精确央求。天然也存留闭于负载电容参数没有是特别庄重的厂家，那么咱们说说闭于音叉晶体一齐，罕睹的负载电容有6PF，7PF，9PF，12.5PF；MHZ晶振罕睹的负载电容以20PF和12PF最为广大，其次8PF，9PF，15PF，18PF等等比拟常用。

其余，负载电容CL（Load capacitance），它是电路中跨交晶体二端的总的灵验电容（没有是晶振外交的配合电容），重要作用负载谐振频次和等效负载谐振电阻，与晶体所有决断振动器电路的处事频次，经过安排负载电容，便不妨将振动器的处事频次微调到标称值。更精确而言，无源晶体的负载电容是一项十分要害的参数，由于无源晶体属于被迫元器件，所谓的被迫元器件等于自己没有能处事，须要外部元器件协帮处事，无源晶体等于！

 其中:

  CS是晶体两个引脚之间的寄生电容(也称为晶体振荡器静态电容或关断电容)。具体数值可在晶体的规格中找到，一般范围为0.2pF~8pF至8pF。如图2所示，32.768千赫的电参数具有0.85℉的典型寄生电容(表中使用钴)。

  CG指从晶体振荡器电路的输入引脚到GND的总电容，其电容是以下三个部分的总和。

  ●应增加从外部晶体振荡器主芯片管脚芯到GND的寄生电容ci

  ●从晶体振荡器电路的印刷电路板迹线到GND的寄生电容CPCB

  ●外部匹配电容CL1并联到电路外部增加的GND

  CD指从晶体振荡器电路的输入引脚到GND的总电容。公差值是以下三个部分的总和。

  ●应增加从外部晶体振荡器主芯片管脚芯到GND的寄生电容，co

  ●从晶体振荡器电路的印刷电路板迹线到CPCB gnd的寄生电容

  ●与GND CL2并联的外部匹配电容，在电路外部增加

  由于晶体振荡器的负载电容是一个非常重要的参数，如果该参数与外部电容不匹配，会发生什么情况？晶体振荡器两端的等效电容与晶体振荡器的标称负载电容不匹配。晶体振荡器输出的谐振频率将与标称工作频率有一定偏差(也称为频率偏移)。负载电容主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。它决定振荡器和石英谐振器的工作频率。通过调整负载电容，振荡器的工作频率通常可以调整到标称值。在应用中，我们通常在外部连接电容，使晶体振荡器两端的等效电容等于或接近负载电容。对于要求较高的场合，我们还需要考虑ic输入端对地电容，以便晶体振荡器的频率能够达到标称频率。因此，合理匹配适当的外部电容非常重要，以便晶体振荡器两端的等效电容等于或接近负载电容。

  负载电容的常用标准值为12.5 pF、16 pF、20 pF和30pF。负载电容和谐振频率之间的关系不是线性的。当负载电容变小时，频率偏差变大。当负载电容增加时，频率偏差减小。图3是示出负载电容和晶体频率之间的误差的曲线图。

  晶体振荡器的四个重要参数

  例外:

  目前许多芯片都增加了内部电容，所以在设计时，只需要选择芯片数据表推荐的负载电容值的晶体，不需要额外的电容。然而，由于实际设计的寄生电路的不确定性，最好保留CL1/CL2的位置。

  4.温度参数，通常我们指的是工作温度，因为不同的产品需要不同的参数，例如，汽车等级的温度需要为-40到105摄氏度，工业等级需要为-40到85摄氏度，消费品需要为-20到75摄氏度的常规温度。这也是为什么我们的晶体振荡器人们通常会问客户他们生产什么产品的原因之一。只有真正了解客户的产品用途后，我们才能判断客户所需晶体振荡器的温度参数。